时间: 2025-01-19 20:03:36 | 作者: 焊锡溶剂
NAND：3Q24NAND Flash营收季增4.8%，企业级SSD需求微弱。依据DRAMexchange，上星期（1125-1129）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.41%至1.79%，均匀涨跌幅为-0.01%。其间7个料号价格相等，6个料号价格继续上涨，9个料号价格下降。依据科创板日报报导，依据TrendForce集邦咨询最新查询，2024年第三季NAND Flash工业出货量位元季减2%，但均匀出售单价（ASP）上涨7%，带动工业全体营收达176亿美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨询表明，不同应用领域的NAND Flash价格趋势在本年第三季呈现分解，企业级SSD需求微弱，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季阑珊。
DRAM:服务器DRAM及HBM推升3Q24DRAM工业营收季增13.6%。依据DRAMexchange，上星期（1125-1129）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.87%至0.90%，均匀涨跌幅为-0.46%。上星期4个料号呈上涨趋势，13个料号呈下降趋势，1个料号价格相等。依据科创板日报报导，依据TrendForce集邦咨询最新查询，2024年第三季DRAM（内存）工业营收为260.2亿美元，季增13.6%。遭到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供货商扩产影响，虽然前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供给数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。
HBM：HBM4考虑选用无助焊剂键合技能。依据CFM闪存商场报导，跟着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐步添加，存储厂商正测验无助焊剂DRAM键合技能，旨在将DRAM堆叠时的距离最小化。现在HBM制造商正活跃推进在第六代HBM（HBM4）中，引进无助焊剂键合技能。
商场端：11月存储现货商场遍及保持低位震动筑底。依据CFM闪存商场报导，近半年来，途径和职业商场行情报价继续走跌，尤其是途径商场大都SSD和内存条制品价格跌幅已逾20%。在历经接连两个季度继续跌落行情之余，总的来看11月存储现货商场遍及保持低位震动筑底的状况。详细来看，职业商场近期PC OEM开释部分下一年Q1备货需求，但PC计算机显示终端遍及对后市较为失望，价格这一块要求严苛，职业存储厂商竞价抢单命令职业内存条缓跌。途径需求则相对平平，商场流速较为缓慢，全体价格时间短相等。
咱们继续看好获益先进算力芯片加快速度进行开展的HBM工业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：获益于算力芯片提振HBM需求，相关工业链有望迎来加快生长，主张重视赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：获益于供给端推进提价、库存逐步回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，工业链有望探底上升。引荐东芯股份，主张重视恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
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